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MJE18006G中文资料

MJE18006G图片

MJE18006G外观图

  • 大小:120.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transition Frequency Typ ft:14MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain Max (hfe):14 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:SWITCHMODE™
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):450V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 600mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大):100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):6 @ 3A,1V
  • 功率 - 最大:100W
  • 频率 - 转换:14MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件

MJE18006G供应商

更新时间:2023-01-17 20:20:34
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